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    2. 特羅半導體

      特羅半導體:成立于2011年1月,是射頻(RF)和電源管理應用硅上氮化鎵(GaN-on-Si)半導體技術(shù)的先驅。先進(jìn)的專(zhuān)有技術(shù)和設備以高昂的價(jià)格顯著(zhù)降低了系統解決方案的復雜性、尺寸、重量和功耗,與Silicon解決方案相比,功率轉換性能顯著(zhù)提高。特羅半導體是一家無(wú)晶圓廠(chǎng)半導體公司總部位于美國芝加哥,在美國伊利諾伊州阿靈頓高地和印度加爾各答設有設計中心。特羅半導體的研發(fā)團隊致力于開(kāi)發(fā)利用寬帶隙技術(shù)的顛覆性解決方案,幫助客戶(hù)解決射頻和電源設計挑戰,并加快從5G蜂窩基礎設施到消費者、汽車(chē)、國防和安全等廣泛應用的上市時(shí)間。特羅半導體與領(lǐng)先的半導體鑄造廠(chǎng)和組裝廠(chǎng)合作,提供優(yōu)質(zhì)和久經(jīng)考驗的產(chǎn)品。主要產(chǎn)品:功率放大器;射頻開(kāi)關(guān);GaN晶體管低噪放大器線(xiàn)性驅動(dòng)器;增益模塊;GaN功率晶體管。型號:TS8021N;TS8423K1;TS8728N;TS8729N;TS86436P。


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